• MBE 分子線エピタキシー装置
●UHV対応 ●UHV対応3連 FBガン2台搭載 ●蒸発源2台拡張可能
●基板加熱1,000℃ ●RHEED対応可能 ●膜厚計標準装備

EG-260型UHV薄膜作製装置は3連型3kWEBガンを2台装着でき、さらに拡張ボードにKセルもしくはEBガンのいずれか2台を増設することによって最大8元、同時4元成膜が可能となる高効率な成膜装置です。

オプションの傾斜成膜マスクを取り付ければ多元混晶材料開発にも応用できます。